募捐 9月15日2024 – 10月1日2024 关于筹款

Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники

Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники

Войцеховский А.В., Ижнин И.И., Савчин В.П., Вакив Н.М.
你有多喜欢这本书?
下载文件的质量如何?
下载该书,以评价其质量
下载文件的质量如何?
Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2013, 560 стр.
Учебное пособие, состоящее из двух частей, посвящено полупроводниковой фотоэлектронике. В первой части изложены физические принципы фотоэлектрических явлений в полупроводниках и полупроводниковых структурах, в частности квантово-размерных. Во второй части рассмотрены физические принципы работы, конструкции и основные характеристики целого ряда полупроводниковых фотоприемников, как дискретных, так и многоэлементных. Рассмотрены способы и варианты построения оптических фотоэлектронных систем как видимого, так и инфракрасного диапазонов.
Для студентов старших курсов высших учебных заведений физических, радиофизических и физико-технических специальностей, аспирантов и специалистов, работающих в области фотоэлектроники.
语言:
russian
ISBN 10:
594621411X
ISBN 13:
9785946214117
文件:
PDF, 7.38 MB
IPFS:
CID , CID Blake2b
russian0
线上阅读
正在转换
转换为 失败

关键词